早期的 NAND 闪存存储采用单级单元 (SLC) 技术。这种介质现在基本上已经过时了，每个单元只能存储一种状态，即 0 或 1。随后，业界开发了多级单元存储器，它可以存储四种状态或切换结果。
三级单元（TLC） 将电压开关的数量增加到七个。QLC 每个单元有 4 位，有 16 个状态或 15 个开关。这是目前容量大的NAND存储。
目前，存储供应商广泛提供 30TB QLC SSD，而 Pure Storage 等一些制造商则 提供专有的 48TB 驱动器。
这使得闪存的容量甚至超过了传统硬盘驱动器，而 PLC 闪存可以进一步提高容量。Pure 的国际首席技术官 Alex McMullen 预测“未来 10 年内”将会出现容量为 300TB 的系统。
PLC（和 QLC）闪存的发展是由存储控制器和管理用于写入数据的较小电压的软件的改进推动的。
随着 3D NAND 成为芯片架构的常态，制造商在不缩小栅极的情况下增加了层数，这使得 QLC 成为一种实用的方案，并为 PLC 闪存开辟了道路。
